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IXFH60N20F中文资料

  • 大小：104.29KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：HiPerRFTM Power MOSFETs
  • 制造商：IXYS
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：200 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：60 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.038 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-247AD
  • 封装：Tube
  • 下降时间：7 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：315 W
  • 上升时间：14 ns
  • 工厂包装数量：30
  • 典型关闭延迟时间：42 ns

IXFH60N20F供应商

更新时间:2023-01-09 01:25:29
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